Информация

Схемы

Справочная

Обратная связь

 

Мощные СВЧ-транзисторы Philips Semiconductors


СВЧ-транзисторы применяются во многих областях человеческой деятельности: телевизионные и радиовещательные передатчики, ретрансляторы, радары гражданского и военного назначения, базовые станции сотовой системы связи, авионика и т. д.

В последние годы заметна тенденция перехода с биполярной технологии производства СВЧ-транзисторов на технологии VDMOS (Vertical Diffusion Metal Oxide Semiconductors) и LDMOS (Laterally Diffused Metal Oxide Semiconductors). Самая передовая технология LDMOS обладает наилучшими характеристиками, такими, как линейность, усиление, тепловые режимы, устойчивость к рассогласованию, высокий КПД, запас по рассеиваемой мощности, надежность. Производимые Philips транзисторы имеют исключительно высокую повторяемость характеристик от партии к партии, и компания Philips этим гордится. При замене вышедших из строя транзисторов можно не беспокоиться о процессе настройки оборудования заново, так как все параметры транзисторов абсолютно идентичны. Этим не может похвастаться ни один из конкурентов Philips.
Все новые разработки Philips базируются на новой современной LDMOS-технологии.

Транзисторы для базовых станций сотовой связи
Кроме транзисторов упакованных в корпуса, Philips выпускает интегрированные модули.


Таблица 1.Транзисторы LDMOS 800 МГц- 1,0 ГГц

Тип

Pвых, Вт

Корпус

BLF1043

10

SOT538

BLF1046

45

SOT467

BLF1049

125

SOT502A

BLF0810-90

16

SOT502A

BLF0810-180

32

SOT502A

BLF900-110

25

SOT502A

Таблица 2. Транзисторы LDMOS 1,8 - 2,0 ГГц

Тип

Pвых, Вт

Корпус

BLF2043

10

SOT538

BLF1822-10

10

SOT467C

BLF1822-30

30

SOT467C

BLF1820-70

65

SOT502A

BLF1820-90

90

SOT502A

Таблица 3. Транзисторы LDMOS 2,0 - 2,2 ГГц для WCDMA

Тип

PсрWCDMA,Вт

Корпус

BLF1822-10

1

SOT467C

BLF1822-30

4

SOT467C

BLF202230

4

SOT608A

BLF2022-70

7,5

SOT502A

BLF2022-120

20

SOT539A

BLF2022-125

20

SOT634A

BLF2022-150

25

SOT634A

BLF2022-180

35

SOT539A

Таблица 4. Основные интегрированные модули

Тип

Pвых, Вт

Технология

Частота

Область применения

BGY916

19

BIPOLAR

900 МГц

GSM

BGY916/5

19

BIPOLAR

900 МГц

GSM

BGY925

23

BIPOLAR

900 МГц

GSM

BGY925/5

23

BIPOLAR

900 МГц

GSM

BGY2016

19

BIPOLAR

1800-2000 МГц

GSM

BGF802-20

4

LDMOS

900-900 МГц

CDMA

BGF 844

20

LDMOS

800-900 МГц

GSM/EDGE (USA)

BGF944

20

LDMOS

900-1000 МГц

GSM/EDGE (EUROPE)

BGF1801-10

10

LDMOS

1800-1900 МГц

GSM/EDGE (EUROPE)

BGF1901-10

10

LDMOS

1900-2000 МГц

GSM/EDGE (USA)

Отличительные особенности интегрированных модулей:

  • LDMOS-технология (пайка прямо на радиатор, линейность, большее усиление), o пониженное искажение,
  • меньший нагрев полупроводника за счет использования медного фланца, o интегрированная компенсация температурного смещения,
  • 50-омные входы/выходы,
  • линейное усиление,
  • поддержка многих стандартов (EDGE, CDMA).

Рекомендуемые решения для стандарта GSM: на 800 МГц: BGF844 + BLF1049 на 900 МГц: BGF944 + BLF1049 на 1800 МГц: BGF1801-10 + BLF1820-10 на 1900 МГц: BGF1901-10 + BLF1820-10
Рекомендуемые решения для стандарта CDMA: на 800 МГц: BGF802-20 + BLF0810-180 на 1900 МГц: BGF1901-10 + BLF1820-90
Рекомендуемые решения для стандарта EDGE:
BGF0810-90

  • выходная мощность: 40 Вт,
  • усиление: 16 дБ,
  • КПД: 37%,
  • ослабление мощности по соседнему каналу ACPR: -60 дБ,
  • амплитуда вектора ошибок EVM: 2%.

BLF1820-90

  • выходная мощность: 40 Вт,
  • усиление: 12 дБ,
  • КПД: 32%,
  • ослабление мощности по соседнему каналу ACPR: -60 дБ,
  • амплитуда вектора ошибок EVM: 2%.

Транзисторы для вещательных станций

На протяжении последних 25 лет компания Philips сохраняет лидерство в данной области. Использование последних достижений в технологии LDMOS (серии BLF1xx, BLF2xx, BLF3xx, BLF4xx, BLF5xx,) позволяет постоянно укреплять позиции на рынке. В качестве примера можно привести огромный успех транзистора BLF861 для ТВ-передатчиков. В отличие от транзисторов конкурентов, BLF861 зарекомендовал себя высоконадежным и высокостабильным элементом, защищенным от выхода из строя при отключении антенны. Никто из конкурентов не смог приблизиться к характеристикам BLF861 по стабильности работы. Можно назвать основные сферы применения таких транзисторов: передатчики на частоты от HF до 800 МГц, частные радиостанции PMR (TETRA), передатчики VHF гражданского и военного назначения.

 


Таблица 5. L- и S-полосные транзисторы для радаров

 

Тип

F, ГГц

Vcc,B

Tp, мкс

Коэфф. заполнения, %

Мощность, Вт

КПД,%

Усиление, дБ

L-полоса

RZ1214B35Y

1,2-1,4

50

150

5

>35

>30

>7

RZ1214B65Y

1,2-1,4

50

150

5

>70

>35

>7

RX1214B130Y

1,2-1,4

50

150

5

>130

>35

>7

RX1214B170W

1,2-1,4

42

500

10

>170

>40

>6

RX1214B300Y

1,2-1,4

50

150

5

>250

>35

>7

RX1214B350Y

1,2-1,4

50

130

6

>280

>40

>7

Bill 21435

1,2-1,4

36

100

10

>35

45

>13

BLL1214-250

1,2-1,4

36

100

10

>250

45

>13

S-полоса

BLS2731-10

2,7-3,1

40

100

10

>10

45

9

BLS2731-20

2,7-3,1

40

100

10

>20

40

8

BLS2731-50

2,7-3,1

40

100

10

>50

40

9

BLS2731-110

2,7-3,1

40

100

10

>110

40

7,5

Верхняя S-полоса

BLS3135-10

3,1-3,5

40

100

10

>10

40

9

BLS3135-20

3,1-3,5

40

100

10

>20

40

8

BLS3135-50

3,1-3,5

40

100

10

>50

40

8

BLS3135-65

3,1-3,5

40

100

10

>65

40

>7

Таблица 6. Транзисторы для авионики

 

Тип

F,ГГц

Vcc,B

Tp, мкс

Коэфф. заполнения, %

Мощность, Вт

КПД,%

Усиление, дБ

BIPOLAR

MZ0912B50Y

0,96-1,215

50

10

10

>50

>42

>7

MX0912B100Y

0,96-1,215

50

10

10

>100

>42

>7

MX0912B251Y

0,96-1,215

50

10

10

>235

>42

>7

MX0912B351Y

0,96-1,215

42

10

10

>325

>40

>7

LDMOS

 

 

Vds

 

 

 

 

 

BLA1011-200

1,03-1,09

36

50

1

>200

50

15

BLA1011-10

1,03-1,09

36

50

1

>10

40

16

BLA1011-2

1,03-1,09

36

50

1

>2

-

18

Основные характеристики транзистора BLF861A

  • Push-pull-транзистор (двухтактный усилитель),
  • выходная мощность более 150 Вт,
  • усиление более 13 дБ,
  • КПД более 50%,
  • закрывает полосу от 470 до 860 МГц (полосы IV и V),
  • надежный, устойчивый к рассогласованию,
  • устойчив к отключению антенны,
  • является индустриальным стандартом в ТВ-передатчиках на сегодняшний день.

Новая модель транзистора BLF647

  • разработан на основе BLF861A,
  • большой коэффициент усиления 16 дБ на 600 МГц,
  • выходная мощность до 150 Вт,
  • закрывает полосу от 1,5 до 800 МГц,
  • надежный, устойчивый к рассогласованию,
  • устойчив к отключению антенны,
  • имеет встроенный резистор, позволяющий работать на частотах HF и VHF,
  • Push-pull-транзистор (двухтактный усилитель).

Транзистор BLF872

  • разрабатывается как более мощная замена BLF861A,
  • начало производства 1 квартал 2004 года,
  • выходная мощность до 250 Вт,
  • самый надежный транзистор по устойчивости к рассогласованию,
  • сохраняет линейность,
  • сохраняет надежность,
  • смещение тока Idq менее 10% на 20 лет,
  • коэффициент усиления более 14 дБ,
  • закрывает полосу от 470 до 860 МГц.

Транзисторы для радаров и авионики
Новые транзисторы Philips для радаров и авионики также производятся по современной LDMOS-технологии. Кристаллы, выполненные по технологии LDMOS, меньше нагреваются, являются более надежными, имеют большее усиление, не требуют изолятора между подложкой и радиатором. Соответственно, для достижения тех же характеристик требуется меньшее число транзисторов, что дополнительно повышает надежность и снижает стоимость изделия.
Новые разработки:
BLA0912-250

  • полоса от 960 до 1250 МГц (все главные частоты авионики),
  • высокое усиление до 13 дБ,
  • надежность, устойчивость к рассогласованию фаз 5:1,
  • линейность,
  • образцы будут доступны с июня 2003 года.

BLS2934-100

  • полоса от 2,9 до 3,4 ГГц (все главные частоты авионики),
  • использование стандартного негерметичного корпуса,
  • образцы будут доступны к концу 2003 года.

Подводя итоги, можно с уверенностью сказать, что компания Philips идет в ногу со временем и предлагает транзисторы, позволяющие создавать новые устройства, которые обладают более совершенными характеристиками: меньший размер, большая выходная мощность, меньшее число компонентов обвязки и меньшая цена конечного изделия.


© radiotexnik.info. Articles